Транзисторы 2П308Д-1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Применяются в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением. Транзистор бескорпусныйс гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя. Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.