2П308Д-1 Транзистор
 Russian
 English
Электронные компоненты и расходные материалы со склада и на заказ

Главная  » Электронные компоненты » Полупроводники » Транзисторы » Транзисторы полевые (MOSFET)

2П308Д-1 Транзистор


SN-6667
2П308Д-1 Транзистор
Цены (шт)
100+25.96 руб.
50+29.50 руб.
10+31.86 руб.
1+41.30 руб.
Доступность
Наличие100 (шт)
Кратность отгрузки1
Масса изделия, гр.0
В закладки  /  К сравнению или    шт. 
2П308Д-1 Транзистор 2П308Д-1 Транзистор

Общая информация

Наименование 2П308Д-1 Транзистор
Торговая марка ПО Фотон, Ташкент
ТУ3.365.006 ТУ
Вид приемки "5"
Масса изделия, гр.0
Дата выпуска01.01.1988
ТранслитерацияTransistor 2P308D-1
Вид упаковкиполиэт.пакет
Состояние упаковкиупаковка вскрыта

Основные параметры

Функциональный типполевой
Габаритные размеры L*W*H 0,7х13
Высота корпуса1 mm
Длина выводов12 mm

Технические характеристики

Макс. мощность рассеивания60 mW
Макс. напряжение сток-исток Uси25 V
Напряжение затвора30 V
Ток стока20 mA
Структураp-n-переход и n-канал

Условия эксплуатации

Интервал рабочих температурот +85 до -60 °С
Транзисторы 2П308Д-1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Применяются в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением. Транзистор бескорпусныйс гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя. Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.
Метки: , 3.365.006 ТУ,
ред.: 2016-11-07 12:13:04

Мы участники

Мы партнеры

Мы спонсоры проекта

Подписка на рассылку