КР159НТ1Б DIP8 Микросхема
 Russian
 English
Электронные компоненты и расходные материалы со склада и на заказ


КР159НТ1Б DIP8 Микросхема


TN-593
КР159НТ1Б DIP8 Микросхема
Цены (шт)
50+8.48 руб.
10+10.18 руб.
1+12.21 руб.
Доступность
Наличие80 (шт)
Кратность отгрузки1
Масса изделия, гр.0,48
В закладки  /  К сравнению или    шт. 
КР159НТ1Б DIP8 Микросхема

Общая информация

Наименование КР159НТ1Б DIP8 Микросхема
Торговая маркаГАО ТОНДИ-ЭЛЕКТРОНИКА, Таллинн
Страна происхождения СССР
Вид приемки "1"
Масса изделия, гр.0,48
Дата выпуска01.01.1989
Наличие паспорта -этикеткиесть
ТранслитерацияMicrocircuit KR159NT1B
Вид упаковкипластиковый бокс
Состояние упаковкизаводская

Основные параметры

Функциональный типтранзисторная матрица
Типоразмер корпуса отечественный2101.8-1
Типоразмер корпусаDIP8
Материал корпусапластмасса
Цвет изделиячерный
Габаритные размеры L*W*H 9х9х6
Длина корпуса9 mm
Ширина корпуса6 mm
Высота корпуса3 mm
Длина выводов7 mm

Технические характеристики

Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб4 V
Макс. допустимое напряжение коллектор-база Uкб20 V
Макс. допустимый импульсный ток коллектора40 mA
Макс. допустимый постоянный ток коллектора10 mA
Максимальная мощность рассеивания50 mW

Условия эксплуатации

Интервал рабочих температурот +85 до -60 °С
Примечание(1988-1989гг.)
Микросхема КР159НТ1Б - представляет собой сборку из двух биполярных п-р-п транзисторов, выполненна по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Предназначена для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.
Метки: ,
ред.: 2016-09-13 14:40:31

Мы участники

Мы партнеры

Мы спонсоры проекта

Подписка на рассылку